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產品詳情

鐵電壓電分析儀 TF Analyzer 2000E

  • 產品/服務:鐵電壓電分析儀 TF Analyzer 2000E
  • 單 價:面議 
  • 更新日期:2024-09-18
  • 有效期至:長期有效
  • 瀏覽次數:918
產品簡介

ANALYZER 2000E是一款擴展性極強的模塊化鐵電壓電分析儀,具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測試功能,可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯用,可廣泛地應用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執行器/存儲器等領域的研究。模塊化設計的TF Analyzer 2000 E具有優異的...

產品詳細介紹

鐵電壓電分析儀 TF Analyzer 2000E


TF ANALYZER 2000E是一款擴展性極強的模塊化鐵電壓電分析儀,具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測試功能,可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯用,可廣泛地應用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執行器/存儲器等領域的研究。
模塊化設計的TF Analyzer 2000 E具有優異的擴展性。

  • FE模塊-鐵電標準測試;
  • MR模塊-磁阻和鐵性材料測試;
  • RX模塊-弛豫電流測試;
  • DR模塊-自放電測試。

測試基本單元:包括內置完整的專用計算機主機和測試版路、運算放大器、數據處理單元等,Windows 7 操作系統、鐵電分析儀專用測試軟件等。
FE模塊標準測試功能:
Dynamic Hysteresis 
動態電滯回線測試頻率(標準FE模塊0.001Hz~5kHz); 
Static Hysterestic 
靜態電滯回線測試; 
PUND 
脈沖測試;
Fatigue 
疲勞測試;
Retention 
保持力;
Imprint 
印跡;
Leakage current
漏電流測試;
Thermo Measurement 
變溫測試功能。

FE模塊可選測試功能:
C-V curve
電容-電壓曲線; 
Piezo Measurement
壓電性能測試; 
Pyroelectric Measurement
熱釋電性能測試; 
In-situ Compensation 
原位補償;
DLCC 
動態漏電流補償功能。

技術說明:
電壓范圍: +/- 25 V(可選的附加高壓放大器可擴展至+/- 10KV); 
電滯頻率:5 kHz(標準FE模塊);
最小脈沖寬度:2 μs
最小上升時間:1 μs
電流放大范圍:1pA1A
最大負荷電容:1μF
輸出電流峰值:+/-1 A
可擴展部件:
高壓放大器、激光干涉儀、AFM、溫度控制器、薄膜探針冷熱臺、變溫塊體樣品盒、塊體變溫爐、薄膜e31測試平臺、超導磁體、PPMS等。



MR模塊是用來研究磁阻和鐵性材料的。
此模塊提供連續電流激勵和測試,樣品上的電壓降通過高精度四點測試。

RX模塊是用來研究介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的,即施加電壓階躍后的電流響應。
該測試能將材料的馳豫電流和漏電流分開,并可記錄極化響應電流和去極化響應電流。

DR模塊用于研究電介質材料的自漏電性。
由于測試條件非常接近實際情況,因此通過這種方式可容易地測試應用于DRAM材料的合適性。

針對工業方面的應用,TF Analyzer 2000E提供了256個自動測試的通道,大大擴展了該儀器的測試功能。

以上所有的模塊可根據您的測試需求以及科研方向進行獨立選擇或者任意組合。



TF ANALYZER 2000E是一款擴展性極強的模塊化鐵電壓電分析儀,具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測試功能,可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯用,可廣泛地應用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執行器/存儲器等領域的研究。
模塊化設計的TF Analyzer 2000 E具有優異的擴展性。

  • FE模塊-鐵電標準測試;
  • MR模塊-磁阻和鐵性材料測試;
  • RX模塊-弛豫電流測試;
  • DR模塊-自放電測試。

測試基本單元:包括內置完整的專用計算機主機和測試版路、運算放大器、數據處理單元等,Windows 7 操作系統、鐵電分析儀專用測試軟件等。
FE模塊標準測試功能:
Dynamic Hysteresis 
動態電滯回線測試頻率(標準FE模塊0.001Hz~5kHz); 
Static Hysterestic 
靜態電滯回線測試; 
PUND 
脈沖測試;
Fatigue 
疲勞測試;
Retention 
保持力;
Imprint 
印跡;
Leakage current
漏電流測試;
Thermo Measurement 
變溫測試功能。

FE模塊可選測試功能:
C-V curve
電容-電壓曲線; 
Piezo Measurement
壓電性能測試; 
Pyroelectric Measurement
熱釋電性能測試; 
In-situ Compensation 
原位補償;
DLCC 
動態漏電流補償功能。

技術說明:
電壓范圍: +/- 25 V(可選的附加高壓放大器可擴展至+/- 10KV); 
電滯頻率:5 kHz(標準FE模塊);
最小脈沖寬度:2 μs
最小上升時間:1 μs
電流放大范圍:1pA1A
最大負荷電容:1μF
輸出電流峰值:+/-1 A
可擴展部件:
高壓放大器、激光干涉儀、AFM、溫度控制器、薄膜探針冷熱臺、變溫塊體樣品盒、塊體變溫爐、薄膜e31測試平臺、超導磁體、PPMS等。



MR模塊是用來研究磁阻和鐵性材料的。
此模塊提供連續電流激勵和測試,樣品上的電壓降通過高精度四點測試。

RX模塊是用來研究介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的,即施加電壓階躍后的電流響應。
該測試能將材料的馳豫電流和漏電流分開,并可記錄極化響應電流和去極化響應電流。

DR模塊用于研究電介質材料的自漏電性。
由于測試條件非常接近實際情況,因此通過這種方式可容易地測試應用于DRAM材料的合適性。

針對工業方面的應用,TF Analyzer 2000E提供了256個自動測試的通道,大大擴展了該儀器的測試功能。

以上所有的模塊可根據您的測試需求以及科研方向進行獨立選擇或者任意組合。



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