工頻介電常數及介質損耗測試儀主要用于測量高壓工業緣材料的介質損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體緣材料在工頻高壓下的介質損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其（工頻介電常數及介質損耗測試儀）測量線路采用“正接法”即測量對地緣的試品。

幾大系列：功能材料電學綜合測試系統、絕緣診斷測試系統、高低溫介電溫譜測試儀、極化裝置與電源、高壓放大器、PVDV薄膜極化、高低溫冷熱臺、鐵電壓電熱釋電測試儀、絕緣材料電學性能綜合測試平臺、電擊穿強度試驗儀、耐電弧試驗儀、高壓漏電起痕測試儀、沖擊電壓試驗儀、儲能材料電學測控系統、壓電傳感器測控系統。

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北京華測工頻介電常數及介質損耗測試儀

產品簡介
1、工頻介電常數及介質損耗測試儀主要用于測量高壓工業緣材料的介質損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體緣材料在工頻高壓下的介質損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測量線路采用“正接法”即測量對地緣的試品。由于電橋內附有一個2500KV的高壓電源及一臺高壓標準電容器，并將副橋和檢流計與高壓電橋有機的結合在一起，特別適應測量各類緣油和緣材料的介損(tgδ)及介電常數(ε)。
2、橋體本身帶有5kV/100pF標準電容，測量材料介損方便。
3、橋體內附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
4、橋體采用了多樣化的介損測量

參數規格
1、測量范圍及誤差
在Cn＝100pF    R4＝3183.2(Ω)(即10K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 40pF－－20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質損耗tgδ 0～1 ±1.5％tgδx±1×10-4
在Cn＝100pF    R4＝318.3(Ω)(即1K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 4pF－－2000pF ±0.5% Cx±2pF
介質損耗tgδ 0～0.1 ±1.5％tgδx±1×10-4
Cx＝R4×Cn/R3
tgδ＝ω?Ｒ４?Ｃ４
高壓電源技術特性
電壓輸出：0～2500V/50Hz
高壓電流輸出：0～20mA
內置標準電容器
電容量的名義值為100pF
tgδ小于5×10-5

固體緣材料測試電
本電適用于固體電工緣材料如緣漆、樹脂和膠、浸漬纖制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、電纜料、薄膜復合制品、陶瓷和 玻璃等的相對介電系數（ε）與介質損耗角正切值（tgδ）的測試。本電主要用于頻率在工頻50Hz下測量試品的相對介電系數（ε）和介質損耗角正切值（tgδ）。本電的設計主要是參照國標GB1409-2006。
本電采用的是三電式結構，能有效的消除表面漏電流的影響，使測量電下的電場趨于均勻電場。
主要技術指標
高低壓電之間距離：0～14mm可調
測量直徑：￠38±0.1mm
高壓電直徑：￠56±0.1mm
測量與保護環間隙為1±0.05
空tgδ：≤5×10-5
測試電壓：2kV
實驗頻率：50/60Hz
常溫或耐受溫度200℃(數字百分表不能加溫）
帶數字百分表測量范圍為0~12mm
制作技術指標依據GB/T1303.2－－-2009
注：原材料為不銹鋼與聚四氟乙烯，接口為與電橋配套用專用插座（帶專用插頭）。

產品

1、主要用于測量高壓工業緣材料的介質損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體緣材料在工頻高壓下的介質損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測量線路采用“正接法”即測量對地緣的試品。由于電橋內附有一個2500KV的高壓電源及一臺高壓標準電容器，并將副橋和檢流計與高壓電橋有機的結合在一起，特別適應測量各類緣油和緣材料的介損(tgδ)及介電常數(ε)。
2、橋體本身帶有5kV/100pF標準電容，測量材料介損更為方便。
3、橋體內附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
4、橋體采用了多樣化的介損測量

影響介電性能的因素

下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強度對介電性能的影響。

1）頻率

因為只有少數材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內它們的ε和taδ幾乎是恒定的，且被用作工程電介質材料，然而一般的電介質材料必須在所使用的頻率下測量其介質損耗因數和電容率。

電容率和介質損耗因數的變化是由于介質化和電導而產生，重要的變化是性分子引起的偶子化和材料的不均勻性導致的界面化所引起的。

2）溫度

損耗指數在一個頻率下可以出現一個至大值，這個頻率值與電介質材料的溫度有關。介質損耗因數和電容率的溫度系數可以是正的或負的，這取決于在測量溫度下的介質損耗指數至大值位置。

3）濕度

化的程度隨水分的吸收量或電介質材料表面水膜的形成而增加，其結果使電容率、介質損耗因數和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時對環境濕度進行控制是必不可少的。

注：濕度的顯著影響常常發生在1MHZ以下及微波頻率范圍內。

4）電場強度

存在界面化時，自由離子的數目隨電場強度增大而增加，其損耗指數至大值的大小和位置也隨此而變。

在較高的頻率下，只要電介質中不出現局部放電，電容率和介質損耗因數與電場強度無關。

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