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價格：電議
所在地：四川 綿陽市
型號：ZG-VOA-NS
更新時間：2024-08-27
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公司地址：四川省綿陽市經開區積家工業園2號樓4H-F
陳女士(女士)
簡介
具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內部為全固態芯片，具有百納秒級的響應速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統對光衰減器高速響應、小型化、高可靠的需求。其響應速度比傳統VOA提升4個數量級，達到100ns級，使WDM光網絡中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網絡應用要求，極高的集成度有助于大幅度減小模塊尺寸，純固態波導芯片使其具備卓越的可靠性。
特性 應用
100ns級高速響應 通道間光功率均衡或阻塞
多至48通道單片集成 模擬信號調制
全固態波導芯片
超低光損耗
主要指標（典型值）
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性能指標 |
單位 |
吸收型 |
備注 |
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工作波長 |
nm |
1525～1565 |
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響應時間 |
ns |
100-300 |
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|
插入損耗 |
dB |
1.2 |
光纖進到光纖出的損耗 |
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衰減范圍 |
dB |
25 |
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偏振相關性 |
dB |
≤0.3 |
@0dB衰減時 |
|
≤0.5 |
@0~25dB衰減時 |
||
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功耗(@18dB衰減) |
mW |
150 |
隨衰減量增大而增大 |
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電壓 |
V |
1.2 |
|
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電流 |
mA |
0-35 |
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集成度 |
/ |
6CH/48CH |
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高速光衰減器
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