鐵電隨機存儲器測試儀FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) Cell Tester內存窗口信息是基于對器件完全集成后進行模擬電滯回線測量后得出的。應用領域：鐵電存儲器的生產生產過程中的質量控制，以便不會影響到CMOS生產過程在MHz的操作速度下，單級電滯回線數據

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我們為你提供材料表征測量的一系列產品：

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一表征：壓電材料d33測量儀
1、ZJ-3型壓電測量儀

2、ZJ-4型d33測量儀

3、ZJ-5型積層壓電測試儀

4、ZJ-6型靜壓電d33/d31/d15測量儀

5、ZJ-7型高溫壓電測試儀

★壓電極化裝置

1、PZT-JH10/4壓電極化裝置（10KV以下壓電陶瓷同時極化1-4片）

2、PZT-JH10/8壓電極化裝置（10KV以下壓電陶瓷同時極化1-8片）

3、PZT-JH20/8高壓電極化裝置（20KV以下壓電陶瓷同時極化1-8片）

4、PZT-FJH20  /3高壓真空，空氣極化裝置（20KV以下壓電陶瓷及壓電薄膜1-3片試樣）

★ 壓電制樣裝置

1、ZJ-D33-YP15壓電陶瓷壓片機（壓力范圍: 0--15T，0-24T，0-30T，0-40T2

2、ZJ-D33-SYP30電動型壓電陶瓷壓片機（壓力范圍: 0--15T，0-24T，0-30T，0-40T）

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第二表征 鐵電材料測量系統及電滯回線測量系統

1、ZT-4C型綜合鐵電測量系統

2、JKZT-10A鐵電材料綜合參數測試儀

3、JKGT-G300高溫鐵電材料測量系統

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第三表征 熱電材料分析測量系統及塞貝克系數測試儀

1、BKTEM-Dx熱電性能分析系統

2、BKTEM-Dx熱電器件性能分析系統

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第四表征 介電材料測試系統

1、 常溫介電測量系統，常溫介電材料測試儀

2、 高溫介電測量系統，高溫介電材料測試裝置

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第四表征磁性材料測試系統

鐵電隨機存儲器測試儀
FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) Cell Tester

內存窗口信息是基于對器件完全集成后進行模擬電滯回線測量后得出的。

應用領域：
鐵電存儲器的生產
生產過程中的質量控制，以便不會影響到CMOS生產過程
在MHz的操作速度下，單級電滯回線數據

優點：
生產過程的工藝優化
在MHz范圍的時間影響測試
適用于2T-2C 設計和1T-1C設計
從模擬測試數據得出內存窗口信息
客戶可定制測試環境
升級服務
客戶支持

程序功能：
可以在單一器件上進行電滯回線、PUND脈沖測試等測試過程。
上升時間最低可實現1μm，自定義的測試脈沖可以用于測試不同類型的失效機制。預極化脈沖參數可以在測試序列里單獨設置。
可以使用Access Time程序進行相同脈沖強度下不同幅值相同脈沖寬度或相同脈沖幅值不同脈沖寬度的測試。
這些測試是基于獨有的專利技術：原位寄生電容補償。

特點：
FeRAM測試儀是用來記錄全面的測試單元電滯回線的，測試儀生成所需要的時間。
如果芯片的布局發生變化，可以自動獲取材料特性較大的陣列。這種情況下，測試儀是用一個開關盒和一個探針臺工作的。軟件可以自動調整設置的參數。
參數的統計評價是通過aixPlorer完成的。
FeRAM測試儀最大的優點就是可以使重要信息流程化，從而提高產量，降低了成本，從而減少了產品上市的時間。相關的數字結果和模擬實驗提供了重要信息。
FeRAM測試儀擁有高分辨測量和速度到微秒的測量功能。

 

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