可控硅靜態綜合測試儀是晶閘管、整流二極管靜態參數檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。

西安智盈電氣科技有限公司成立于2019年，公司地處西安市西咸新區秦創園國家高新技術開發區，本公司是一家集科研開發，生產經營，技術服務為一體具有自主知識產權的高新技術企業。公司技術工藝，檢測手段完善，擁有一批長期從事電力電子技術，自動控制系統與應用，感應加熱技術，微電子技術基礎建設等研究開發的高級工程師和技術人才，實力雄厚，多項產品在行業中處于地位。已通過ISO9001質量管理體系認證，產品廣泛應用于半導體器件研發，電力，鐵路交通，新能源汽車，石油，化工，環保電子等行業，公司生產的主要產品有功率半導體器件及組件的檢測設備及工藝設備等。公司還致力于發展系統工程，程序控制。新能源開發及應用等新技術產業，公司具有較強的技術開發能力，可根據用戶和市場的需求，提供技術方案，技術咨詢，專業培訓與服務，奉行技術創新，誠信服務愿與國內外同行及用戶真誠合作共同進入高科技的新時代。

通過我們自己研發的各種產品，比如像半導體器件測試儀，加快了半導體各類材料、半導體器件和工藝的開發，完成制程控制、可靠性分析和故障分析；諸如IGBT靜態參數測試系統、IGBT動態參數測試系統，它們可以滿足對IGBT的大電流、高電壓的測試要求，是檢測半導體器件的關鍵設備；還有像雪崩能量測試儀、晶閘管電參數測試儀、二極管電參數測試儀、功率模塊可靠性測試儀、模塊高溫阻斷試驗設備等產品，做的也是相當的出彩，這就是我對我們的產品十分的有信心，這就是我們團隊所有的力量。質量是企業長遠生存的根基，是企業競爭的免死，質量在心中，責任在肩上，誠信在言行中，相信我們國標標準，控在品質！

多年來，公司與時俱進，產品銷往全國各地，據不完全統計，有深圳華為技術有限公司、蘇州華為技術有限公司、深圳比亞迪股份有限公司、深圳華科智源科技有限公司、廣東慧核工業器材有限公司、安徽長飛半導體有限公司、天津中科方德科技有限公司、江蘇揚杰半導體有限公司、新飛宇電子科技有限公司、揚州國宇電子有限公司、國網電力科學研究院有限公司、大連東芝電力機車、清華大學、南京大學、華北電力大學等一些國有大型企業與之合作，經過我們的不時努力和追求，也博得了眾多企業的認可和好評。追求永不停步，創新永無止境，為取得長足發展，公司會以優質的產品、前沿的技術和周到的服務來回饋用戶，為社會的科技進步作出貢獻！

核心業務為半導體功率器件測試設備的研制生產，參數測試設備：

可控硅/晶閘管（參數測試設備：

靜態參數測試；動態參數測；浪涌參數測試；老化可靠性測試（高溫阻斷）；熱阻參數測試。

MOSFET參數測試設備：
靜態參數測試（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；動態參數（開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區）測試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力測試，老化及可靠性測試（HTRB / HTGB）。
IGBT參數測試設備：
靜態參數測試（包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE /

可控硅靜態綜合測試儀
一、產品簡介

可控硅靜態綜合測試儀是晶閘管、整流二極管靜態參數檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。

該套測試設備主要有以下幾個單元組成：

1)       門極觸發參數測試單元

2)       維持電流測試單元

3)       阻斷參數測試單元

4)       通態壓降參數測試單元

5)       電壓上升率參數測試單元

6)       擎住電流

7)       門極電阻

8)       計算機控制系統

9)       合格證標簽打印

10)  夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具

二、技術條件

主要技術指標：

2.1  門極觸發電壓/門極觸發電流測試單元IGT/VGT

1.  陽極電壓：12V;

2.  陽極串聯電阻：6Ω;

3.  門極觸發電壓：0.3～5.00V±3%±10mV;

4.  門極觸發電流：2～450mA±3%±1 mA;

2.2  維持電流測試單元IH

1. 陽極電壓：12V;

2. 預導通電流： ＞10A,正弦衰減波；

3. 維持電流： 2～450mA  ±5%±1 mA;

4. 測試頻率：單次；

2.3  通態壓降測試單元VTM

1.     平板器件通態電流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

2.     模塊器件通態電流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

3.  電流上升沿時間：≥5ms；

4.  通態壓降測試范圍： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；

5.  測試頻率：單次；

2.4  斷態電壓/斷態漏電流VD/ID；反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元

1.  阻斷電壓：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；

模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kV

2. 正反向自動測試：

3．正/反向漏電流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；

精度：±5%±1 mA；

4. 輸出保護電壓和電流可計算機設定范圍值；在測試時電壓或漏電流超過所  設定的范圍則自動保護。

5. 測試頻率： 50HZ

2.5  斷態電壓臨界上升率測試單元dv/dt

1.  電壓：1200V,1600V,2000V三檔，分辨率：1V，精度±5%；

2.  電壓過沖范圍：＜50V±10%

3. DV/DT電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；

2.6  擎住電流I_L：100-1800mA

2.7  平板夾具壓力范圍：6-60KN，氣動加壓方式

三、功能概述 3-1測試功能范圍

該套測試設備主要可測試以下參數：

1.       門極參數測試：V_GT、I_GT

2.       維持電流測試：I_H

3.  阻斷參數測試：本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數。

4.       壓降單元

本測試單元用來測量晶閘管、整流管的V_TM、I_TM、V_FM、I_FM等參數。

5、           電壓上升率參數測試：dv/dt

6、           擎住電流I_L

7、           門極電阻：適合門極觸發電壓在0.95V以上器件測試

3-2、測試方法和測試準則及原理滿足  IEC 60747-6-2000 中關于晶閘管測試的具體規定。
(上海新能源汽車)
可控硅靜態綜合測試儀

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