射頻導(dǎo)納物位開關(guān)GDAS51BAMnp精度高，適應(yīng)性強。射頻導(dǎo)納的探測棒與金屬容器罐壁之間具有電容特性，由此構(gòu)成一個電橋電路，振蕩電路產(chǎn)生的射頻振蕩信號加在這個電橋上。當被測介質(zhì)未接觸到探測棒時，電橋處于平衡狀態(tài)，沒有輸出信號。而當被測介質(zhì)填充到探測棒與罐壁之間時，由于被測介質(zhì)的電特性與空氣不同，會引起

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應(yīng)用：         液體、固體粉末測量，復(fù)雜過程條件。
長度：         3m
過程連接：       G?A
探測組件材料：     PPS/不銹鋼316L
過程溫度：       -50…250°C
過程壓力：       -1.0…64bar
信號輸出：       一個單刀雙擲繼電器，接點容量250V/1A。

詳細介紹：
GDAS51
供電電壓
A  220V AC
B  24V DC
現(xiàn)場顯示/編程
A  帶
X  不帶
電纜進線
M   M20x1.5
N   ?NPT
過程連接
GP  螺紋  G3/4A
NP  螺紋    3/4NPT
帶散熱片/過程溫度
A  帶/-40 C....+200 °C
X  不帶/-40 C....+200 °C
長度
4位數(shù)字（單位：mm）
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