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價格：電議
所在地：陜西 西安市
型號：長禾
更新時間：2024-05-08
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公司地址：西安市高新區錦業路69號創新商務公寓1號樓10310室
蒲經理(先生) 經理
長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態參數檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業務范圍主要涉及國內軌道交通、風力發電、科研單位、軍工院所、工業控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業。也是第三代半導體（寬禁帶半導體）應用解決方案服務商。
長禾實驗室秉承創新務實的經營理念，為客戶提供優質的服務、完善的解決方案及全方位的技術支持；同時注重與行業企業、高校和科研院所的合作與交流，測試技術與服務水平不斷提升。
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檢測項目 |
覆蓋產品 |
檢測能力 |
參考標準 |
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直流參數 |
MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產品； |
檢測最大電壓：7500V 檢測最大電流：6000A |
國標，IEC |
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雪崩能量 |
MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導體器件等單管器件 |
檢測最大電壓：2500V 檢測最大電流：200A |
美軍標 |
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柵極電阻 |
MOSFET、IGBT及第三代半導體器件 |
檢測阻抗：0.1Ω～50Ω |
JEDEC |
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開關時間 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器件； |
檢測最大電壓：1200V 檢測最大電流：200A |
美軍標，國標，IEC等 |
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開關時間 |
IGBT等模塊產品 |
檢測最大電壓：2700V 檢測最大電流：4000A |
國標，IEC |
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反向恢復 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 |
檢測最大電壓：1200V 檢測最大電流：200A |
美軍標，國標，IEC等 |
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反向恢復 |
IGBT等模塊產品 |
檢測最大電壓：2700V 檢測最大電流：4000A |
國標，IEC |
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柵極電荷 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 |
檢測最大電壓：1200V 檢測最大電流：200A |
美軍標，國標，IEC等 |
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柵極電荷 |
IGBT等模塊產品 |
檢測最大電壓：2700V 檢測最大電流：4000A |
國標，IEC |
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短路耐量能力 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 |
檢測最大電壓：1200V 檢測最大電流：1000A |
美軍標，國標，IEC等 |
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短路耐量能力 |
IGBT等模塊產品 |
檢測最大電壓：2700V 檢測最大電流：10000A |
國標，IEC |
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結電容 |
MOSFET、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 |
檢測最大電壓：3000V |
IEC |
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參數曲線掃描 |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件的I-V、C-V曲線 |
檢測最大電壓：3000V 檢測最大電流：1500A 溫度：-70°C~180°C |
美軍標，IEC等 |
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熱阻性能 |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管產品 |
最大功率：250W |
美軍標，JEDEC |
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熱阻性能 |
IGBT等模塊產品 |
最大功率：4000W |
美軍標，JEDEC |
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ESD能力 |
MOSFET、IGBT、IC等產品 |
HBM最大電壓：8000V；MM最大電壓：800V |
美軍標，ANSI，JEDEC等 |
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*正向浪涌能力 |
DIODE（Si/SiC）、整流橋 |
檢測最大電流：800A |
美軍標，國標 |
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