三溫區PECVD系統，是一種先進的薄膜沉積技術，廣泛應用于半導體工業、微電子、光電子、太陽能等領域。該系統通過射頻電源將石英真空室內的氣體轉變為離子態，利用等離子體中的高能電子激活反應氣體，使其在較低的溫度下發生化學反應，從而在基材上沉積出所需的薄膜。

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三溫區PECVD系統設備特點：

      1、溫度控制精準：三溫區設計使得系統能夠實現更精準的溫度控制，滿足不同材料和工藝對溫度的需求。通過三個PID溫度控制器，可以分別控制不同區域的溫度，確保整個沉積過程在理想的溫度范圍內進行。

  2、沉積速度快：相比傳統的化學氣相沉積（CVD）技術，PECVD系統具有更高的沉積速率。這主要得益于等離子體的作用，使得反應氣體在較低的溫度下就能發生化學反應，從而加快了沉積速度。

膜層均勻性好：通過射頻電源的頻率控制，可以精確調節所沉積薄膜的應力大小，從而保證膜層的均勻性和一致性。這種精確控制對于制備高質量、高性能的薄膜材料至關重要。

  3、操作穩定性高：三溫區PECVD系統采用先進的真空系統和多通道質子混氣系統，確保了系統的穩定性和可靠性。在長時間運行過程中，系統能夠保持穩定的沉積速率和膜層質量，滿足大規模生產的需求。

  4、應用廣泛：該系統可廣泛應用于生長納米線、石墨烯及薄膜材料等領域。例如，在太陽能電池領域，PECVD技術被用于制備高質量的硅基薄膜太陽能電池；在微電子領域，PECVD技術被用于制備各種薄膜材料，如SiO2、SiNx等。
三溫區PECVD系統配置參數：

規格型號①	NBD-O1200-TS3-4ZD-PE
名稱①	CVD系統
供電電源	380V 50HZ
Tmax	1200℃
額定溫度	1150℃
觸摸屏尺寸	7"
溫區尺寸	200+200+200mm（三溫三控）
加熱額定功率	9KW
傳感器類型	K型熱電偶
爐管材質及尺寸	石英管Φ80*1400mm
推薦升溫速率	≤10/min
機械泵抽氣速率	6立方米每小時 KF25
爐腔極限真空度	3~5Pa 配數顯真空計
進氣系統	四路質量流量控制器100sccm 200sccm 500sccm 500sccm
爐體外形尺寸	長1488*高1275*深760mm
規格型號②	RF-500W
名稱②	等離子發生器
射頻頻率	13.56MHz
射頻功率輸出范圍	0-500W可調
外形尺寸	長275mm×高380mm×深430mm
射頻功率	500W

三溫區PECVD系統服務支持：一年有限保修，提供終身支持
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