均溫氧化擴散爐應用于半導體器件、分立器件、光電子器件、電力電子器件、太陽能電池及大規模集成電路制造等領域對晶片進行擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝，可用于2-8英寸工藝尺寸。

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均溫氧化擴散爐設備特點：
1.溫場均勻，恒溫區長度及精度：300～1250mm  800~1200℃±1℃
2.具有強大的軟件功能，NBD-101EP嵌入式操作系統，用戶可以方便地修改工藝控制參數，并可隨時顯示各種工藝狀態；配有故障自診斷軟件； 
3.程序可以實現手/自動工作，在停電或中途停機后，再次啟動可以根據工藝手動升溫，節省工藝時間； 
4.具有多種工藝管路，可供用戶方便選擇； 
5.冷端檢測環境溫度進行溫度補償，避免環境溫度變化，對爐膛溫度產生影響，避免層間干擾； 
6.可存儲多組PID參數供系統運行調用功能，具有多點溫度補償
7.氣體流量采用數字化精確控制，采用模擬信號閉環控制，強弱電分開，各種數據交互采用標準總線，提高抗干擾能力，保證數據安全；氣體打開具有緩啟動功能； 
8.具有多種報警功能及安全保護功能；
9.恒溫區自動調整，串級控制，可準確控制反應管的實際工藝溫度； 
10.壓力自動調整技術，將壓力參數引入晶體硅氧化工藝，有效減小了尾部排風對工藝的干擾，減小由排風引起的工藝波動。
均溫氧化擴散爐設備參數：

型號	T1200-250T3均溫爐氧化擴散
可配工藝管外徑	爐管外徑152mm   適用于3＂；爐管外徑252mm   適用于6＂； 爐管外徑300mm   適用于8＂
溫度控制范圍	300~1150 ℃
恒溫區長度及精度	300～1250mm（依客戶要求定）  300~800 ℃±1.5℃, 800~1100 ℃±1℃
可控升降溫速率	升溫速率：≦15℃/min  降溫速率≦5℃/min
加熱區個數	3區，4區，5區，6區（依客戶要求定）
送料方式	手動送料
冷卻系統	水冷2-4Kgf/cm2，8L/min；＋上接排風冷≈25m3/min；

均溫氧化擴散爐服務支持：一年有限保修，提供終身支持。
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